纵观过去的半个多世纪，信息工业的快速发展依赖于硅基电子器件的不断微型集成。当7nm和5nm节点的芯片已经商用，3nm甚至1nm制程已经接近极限的情况下，摩尔定律似乎已经开始走向终点。因此，发展新机制、新材料和新器件已经成为半导体行业的下一个转折点。其中，利用单个分子构建电子电路元器件得到了广泛的关注，是电子器件微小化发展的终极目标。
近日，北京大学化学与分子工程学院郭雪峰教授课题组联合中国科学院物理研究所孟胜研究员课题组、加拿大麦吉尔大学郭鸿教授课题组和法国雷恩大学Stéphane Rigaut教授课题组，首次在石墨烯基单分子器件的基础上构建了超薄高k的介电层，实现了栅压对单分子器件电导的有效调控，成功研制了CMOS兼容的高性能单分子场效应晶体管。
本文摘自北京大学官网
https://news.pku.edu.cn/jxky/8fd83427304b41ae8797202963428ba9.htm
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